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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STD22NM20NT4

STD22NM20NT4

STD22NM20NT4
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Référence STD22NM20NT4
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 40004 pcs
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Référence STD22NM20NT4 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 200V 22A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 40004 pcs Fiche technique STD22NM20N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur DPAK Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 11A, 10V Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms 497-4653-6 Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 200V Description détaillée N-Channel 200V 22A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)

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