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STF10NM60N

STF10NM60N
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Référence STF10NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 64470 pcs
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Référence STF10NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 64470 pcs Fiche technique STx10NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4A, 10V Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-12564-5
STF10NM60N-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Tc)

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