STF25N10F7
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| Référence | STF25N10F7 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.469 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STF25N10F7 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 65642 pcs | Fiche technique | STx25N10F7 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FP | Séries | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 12.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | 497-14553-5 STF25N10F7-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 38 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 19A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 19A (Tc) |
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