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STF30N10F7

STF30N10F7
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Référence STF30N10F7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 43144 pcs
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Référence STF30N10F7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 43144 pcs Fiche technique STx30N10F7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) 20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP Séries DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 16A, 10V Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-14554-5
STF30N10F7-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 100V
Description détaillée N-Channel 100V 24A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)

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