STF9HN65M2
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| Référence | STF9HN65M2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.505 | $0.403 | $0.353 | $0.274 | $0.216 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STF9HN65M2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 103668 pcs | Fiche technique | STF9HN65M2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FP | Séries | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 820 mOhm @ 2.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | 497-16014-5 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 5.5A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A (Tc) |
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