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STFI40N60M2

STFI40N60M2
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Référence STFI40N60M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 15828 pcs
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Référence STFI40N60M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 15828 pcs Fiche technique STF(I,W)40N60M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I2PAKFP (TO-281) Séries MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 17A, 10V Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Autres noms 497-14195-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 34A (Tc) 40W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 34A (Tc)

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