STGW80H65DFB
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| Référence | STGW80H65DFB |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | IGBT 650V 120A 469W TO-247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.646 | $2.279 | $1.978 | $1.723 | $1.50 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STGW80H65DFB | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 24608 pcs | Fiche technique | STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A | Condition de test | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 84ns/280ns | énergie de commutation | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 85ns | Puissance - Max | 469W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-14368 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | Trench Field Stop |
| gate charge | 414nC | Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 240A | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 120A |
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- Partie#:
MBB02070D8662DC100 - Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay - La description:
RES 86.6K OHM 0.6W 0.5% AXIAL - En stock:
411526