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STH140N6F7-6

STH140N6F7-6
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Référence STH140N6F7-6
Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 80355 pcs
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Référence STH140N6F7-6 Fabricant STMicroelectronics
La description N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP., État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 80355 pcs Fiche technique STH140N6F7-2,6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur H2PAK-6 Séries STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 40A, 10V Dissipation de puissance (max) 158W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Autres noms 497-16971-2 Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 80A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount H2PAK-6 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)

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