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STH180N4F6-2

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Référence STH180N4F6-2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 68786 pcs
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Référence STH180N4F6-2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 68786 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur H2Pak-2 Séries STripFET™ F6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7735pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V Description détaillée N-Channel 40V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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