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STH270N8F7-2

STH270N8F7-2
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Référence STH270N8F7-2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 20750 pcs
Référence Prix
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Référence STH270N8F7-2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 20750 pcs Fiche technique STH270N8F7-2/6, STP270N8F7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur H²PAK Séries DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 90A, 10V Dissipation de puissance (max) 315W (Tc)
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Autres noms 497-13873-1 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 193nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 80V
Description détaillée N-Channel 80V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H²PAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180A (Tc)

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