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STI4N62K3

STI4N62K3
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Référence STI4N62K3
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 88645 pcs
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Référence STI4N62K3 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 88645 pcs Fiche technique STx(I)4N62K3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur I2PAK Séries SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 1.9A, 10V Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms 497-12262 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 50V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 620V
Description détaillée N-Channel 620V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Tc)

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