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STL10N60M2

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Référence STL10N60M2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 84763 pcs
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Référence STL10N60M2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 84763 pcs Fiche technique STL10N60M2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur PowerFlat™ (5x6) HV Séries MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 2.5A, 10V Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-PowerVDFN
Autres noms 497-14965-2 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 5.5A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A (Tc)

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