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STP100N6F7

STP100N6F7
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Référence STP100N6F7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 64385 pcs
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Référence STP100N6F7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 64385 pcs Fiche technique STP100N6F7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries STripFET™ F7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6 mOhm @ 50A, 10V Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-15888-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)

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