STP120N4F6
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| Référence | STP120N4F6 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.434 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STP120N4F6 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 77893 pcs | Fiche technique | STx120N4F6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 40A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 110W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | 497-10962-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 38 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 40V |
| Description détaillée | N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
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