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STP160N4LF6

STP160N4LF6
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Référence STP160N4LF6
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 40V 120A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 48984 pcs
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Référence STP160N4LF6 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 40V 120A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 48984 pcs Fiche technique STP160N4LF6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-15556-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8130pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 181nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40V Description détaillée N-Channel 40V 120A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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