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STP20NM60

STP20NM60
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Référence STP20NM60
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 31409 pcs
Référence Prix
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Référence STP20NM60 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 31409 pcs Fiche technique STx20NM60(-1,FP)
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 10A, 10V Dissipation de puissance (max) 192W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-3184-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220AB Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)

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