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STP220N6F7

STP220N6F7
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Référence STP220N6F7
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 50805 pcs
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Référence STP220N6F7 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 50805 pcs Fiche technique STP220N6F7
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220 Séries STripFET™ F7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 237W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-16120-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée N-Channel 60V 120A (Tc) 237W (Tc) Through Hole TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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