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STP6NM60N

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Référence STP6NM60N
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 81952 pcs
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Référence STP6NM60N Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 81952 pcs Fiche technique STx6NM60N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 920 mOhm @ 2.3A, 10V Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-7530-5
STP6NM60N-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.6A (Tc)

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