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STP7N52K3

STP7N52K3
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Référence STP7N52K3
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 525V 6.2A TO220
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 81797 pcs
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Référence STP7N52K3 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 525V 6.2A TO220 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 81797 pcs Fiche technique ST(B,D,F,P)7N52K3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220AB Séries SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 980 mOhm @ 3.1A, 10V Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-220-3
Autres noms 497-9094-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 737pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 525V Description détaillée N-Channel 525V 6A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)

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