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STR2N2VH5

STR2N2VH5
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Référence STR2N2VH5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 78041 pcs
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Référence STR2N2VH5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 78041 pcs Fiche technique STR2N2VH5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±8V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23 Séries STripFET™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 2A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 350mW (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms 497-13883-2 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 38 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 367pF @ 16V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V Tension drain-source (Vdss) 20V
Description détaillée N-Channel 20V 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -

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