STS9P2UH7
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| Référence | STS9P2UH7 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STS9P2UH7 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5308 pcs | Fiche technique | STS9P2UH7 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-SO | Séries | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V | Dissipation de puissance (max) | 2.7W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | 497-15155-2 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2390pF @ 16V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V | Description détaillée | P-Channel 20V 9A (Tc) 2.7W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
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