STTH2R02Q
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| Référence | STTH2R02Q |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STTH2R02Q | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4658 pcs | Fiche technique | STTH2R02 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 2A | Tension - Ventilation | DO-15 |
| Séries | - | État RoHS | Tape & Box (TB) |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | DO-204AC, DO-15, Axial | Température d'utilisation - Jonction | 30ns |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Référence fabricant | STTH2R02Q | Description élargie | Diode Standard 200V 2A Through Hole DO-15 |
| Configuration diode | 3µA @ 200V | La description | DIODE GEN PURP 200V 2A DO15 |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 1V @ 2A | Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 200V |
| Capacité à Vr, F | 175°C (Max) |
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