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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > STTH312B-TR

STTH312B-TR

STTH312B-TR
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Référence STTH312B-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 79077 pcs
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Référence STTH312B-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 79077 pcs Fiche technique STTH312
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 3A Tension - Ventilation D-Pak
Séries - État RoHS Digi-Reel®
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Autres noms 497-5764-6
Température d'utilisation - Jonction 115ns Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant STTH312B-TR
Description élargie Diode Standard 1200V (1.2kV) 3A Surface Mount D-Pak Configuration diode 10µA @ 1200V
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK Courant - fuite, inverse à Vr 2V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1200V (1.2kV) Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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