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STTH3R02Q

STTH3R02Q
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Référence STTH3R02Q
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO15
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence STTH3R02Q Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO15 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5084 pcs Fiche technique STTH3R02
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 3A Tension - Ventilation DO-15
Séries - État RoHS Cut Tape (CT)
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation DO-204AC, DO-15, Axial Autres noms 497-6083-1
Température d'utilisation - Jonction 30ns Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Référence fabricant STTH3R02Q
Description élargie Diode Standard 200V 3A Through Hole DO-15 Configuration diode 3µA @ 200V
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO15 Courant - fuite, inverse à Vr 1V @ 3A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 200V Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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