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STTH8R06G-TR

STTH8R06G-TR
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Référence STTH8R06G-TR
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 117028 pcs
Référence Prix
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Référence STTH8R06G-TR Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 117028 pcs Fiche technique STTH8R06
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2.9V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur D2PAK
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 45ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Autres noms 497-5232-2
STTH8R06G-TR-ND
STTH8R06GTR
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 8A Surface Mount D2PAK Courant - fuite, inverse à Vr 30µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A Capacité à Vr, F -
Numéro de pièce de base STTH8R06

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