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STW200NF03

STW200NF03
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Référence STW200NF03
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 120A TO-247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 22154 pcs
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Référence STW200NF03 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 30V 120A TO-247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 22154 pcs Fiche technique STW200NF03
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247-3 Séries STripFET™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 60A, 10V Dissipation de puissance (max) 350W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 25V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 120A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3 Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)

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