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STW25N60M2-EP

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Référence STW25N60M2-EP
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 34104 pcs
Référence Prix
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Référence STW25N60M2-EP Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 34104 pcs Fiche technique
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 Séries MDmesh™ M2-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188 mOhm @ 9A, 10V Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)

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