STW28N65M2
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| Référence | STW28N65M2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | 1020 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.189 | $0.955 | $0.87 | $0.704 | $0.594 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STW28N65M2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 52329 pcs | Fiche technique | STx28N65M2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 170W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-15575-5 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 20A (Tc) |
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- Partie#:
AT0805DRD07237KL - Fabricant:
Yageo - La description:
RES SMD 237K OHM 0.5% 1/8W 0805 - En stock:
796325