STW35N65M5
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| Référence | STW35N65M5 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.832 | $3.45 | $2.837 | $2.377 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STW35N65M5 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 27A TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 15955 pcs | Fiche technique | STx35N65M5 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | Séries | MDmesh™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 13.5A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-11000-5 STW35N65M5-ND |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 27A (Tc) |
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