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STW48N60DM2

STW48N60DM2
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Référence STW48N60DM2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 40A
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 14351 pcs
Référence Prix
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Référence STW48N60DM2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 600V 40A État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 14351 pcs Fiche technique STW48N60DM2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 Séries MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 20A, 10V Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-16360-5 Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)

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