STW56N65DM2
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| Référence | STW56N65DM2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET N-CH 650V 48A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.399 | $3.606 | $3.254 | $2.726 | ||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STW56N65DM2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 48A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 12001 pcs | Fiche technique | STW56N65DM2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 24A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Autres noms | 497-16337-5 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 48A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 48A (Tc) |
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