STW63N65DM2
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| Référence | STW63N65DM2 |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | MOSFET |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.924 | |||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | STW63N65DM2 | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 12824 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | - | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247 | Séries | FDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | Dissipation de puissance (max) | - |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Through Hole | Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 100V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | - |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 65A |
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