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STWA70N60DM2

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Référence STWA70N60DM2
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 12153 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		600 pcs
$2.732

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Référence STWA70N60DM2 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 12153 pcs Fiche technique STWA70N60DM2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-247 Long Leads Séries MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 33A, 10V Dissipation de puissance (max) 446W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5508pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 66A (Tc)

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