STX112-AP
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| Référence | STX112-AP |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| La description | TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.317 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | STX112-AP | Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 65790 pcs | Fiche technique | STX112/7 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 8mA, 2A | Transistor Type | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur | TO-92AP | Séries | - |
| Puissance - Max | 1.2W | Emballage | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Autres noms | 497-12706-1 STX112AP |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | - | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 1.2W Through Hole TO-92AP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 1A, 4V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 2mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 2A | Numéro de pièce de base | STX112 |
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