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STY139N65M5

STY139N65M5
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Référence STY139N65M5
Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4037 pcs
Référence Prix
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Référence STY139N65M5 Fabricant STMicroelectronics
La description MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4037 pcs Fiche technique STY139N65M5
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur MAX247™ Séries MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 65A, 10V Dissipation de puissance (max) 625W (Tc)
Emballage Tube Package / Boîte TO-247-3
Autres noms 497-13043-5 Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15600pF @ 100V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 363nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V Tension drain-source (Vdss) 650V
Description détaillée N-Channel 650V 130A (Tc) 625W (Tc) Through Hole MAX247™ Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 130A (Tc)

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