1N5809US
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| Référence | 1N5809US |
|---|---|
| Fabricant | Semtech |
| La description | DIODE GEN PURP 100V 6A |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 250 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $5.356 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 1N5809US | Fabricant | Semtech |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 100V 6A | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 6088 pcs | Fiche technique | 1N5807US,09US,11US |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 875mV @ 4A |
| Tension - inverse (Vr) (max) | 100V | Package composant fournisseur | - |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 30ns | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | SQ-MELF | Autres noms | 1N5809USS |
| Température d'utilisation - Jonction | - | Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 46 Weeks | Type de diode | Standard |
| Description détaillée | Diode Standard 100V 6A Surface Mount | Courant - fuite, inverse à Vr | 5µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 6A | Capacité à Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
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