ISOPAC0119
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| Référence | ISOPAC0119 |
|---|---|
| Fabricant | Semtech Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 10A |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 15 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $65.71 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ISOPAC0119 | Fabricant | Semtech Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 10A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 594 pcs | Fiche technique | ISOPAC01,2,4,6,12xx |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 10A | Tension - Ventilation | - |
| Séries | - | État RoHS | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | - | Température d'utilisation - Jonction | 150ns |
| Type de montage | - | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 18 Weeks | Référence fabricant | ISOPAC0119 |
| Description élargie | Diode Standard 1000V (1kV) 10A | Configuration diode | 1µA @ 1000V |
| La description | DIODE GEN PURP 1KV 10A | Courant - fuite, inverse à Vr | 2.2V @ 9A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 1000V (1kV) | Capacité à Vr, F | -55°C ~ 175°C |
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