SDH10KM
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| Référence | SDH10KM |
|---|---|
| Fabricant | Semtech Corporation |
| La description | DIODE GEN PURP 10KV 1A MODULE |
| État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $70.384 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | SDH10KM | Fabricant | Semtech Corporation |
|---|---|---|---|
| La description | DIODE GEN PURP 10KV 1A MODULE | État sans plomb / État RoHS | Contient du plomb / Non conforme à RoHS |
| Quantité disponible | 556 pcs | Fiche technique | SDHxKM |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Inverse de crête (max) | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 1A | Tension - Ventilation | - |
| Séries | - | État RoHS | Bulk |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) | Résistance @ Si, F | - |
| Polarisation | Module | Température d'utilisation - Jonction | 2µs |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 18 Weeks | Référence fabricant | SDH10KM |
| Description élargie | Diode Standard 10000V (10kV) 1A Through Hole | Configuration diode | 1µA @ 10000V |
| La description | DIODE GEN PURP 10KV 1A MODULE | Courant - fuite, inverse à Vr | 13.2V @ 1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) | 10000V (10kV) | Capacité à Vr, F | -55°C ~ 150°C |
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- Partie#:
SIT1602BI-81-18E-74.176000X - Fabricant:
SiTime - La description:
-40 TO 85C, 7050, 20PPM, 1.8V, 7 - En stock:
87555