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LH5116-10F

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Référence LH5116-10F
Fabricant Sharp Microelectronics
La description IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 3976 pcs
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Référence LH5116-10F Fabricant Sharp Microelectronics
La description IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 3976 pcs Fiche technique LH5116-10F Specification
Catégorie Circuits intégrés (ci) Écrire le temps de cycle - Word, Page 100ns
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 5.5 V La technologie SRAM
Package composant fournisseur 24-DIP Séries -
Emballage Tube Package / Boîte 24-DIP (0.600", 15.24mm)
Autres noms 425-1932-5 Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Type de mémoire Volatile Taille mémoire 16Kb (2K x 8)
Interface mémoire Parallel Format de mémoire SRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée SRAM Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 100ns 24-DIP
Temps d'accès 100ns

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