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BA158G R1G

BA158G R1G
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Référence BA158G R1G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1992154 pcs
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Référence BA158G R1G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1992154 pcs Fiche technique BA157G - BA159G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur DO-204AL (DO-41)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 150ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-204AL, DO-41, Axial Autres noms BA158G R1G-ND
BA158GR1G
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A Capacité à Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz

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