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ES1JL RVG

ES1JL RVG
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Référence ES1JL RVG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1109784 pcs
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Référence ES1JL RVG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1109784 pcs Fiche technique ES1AL - ES1JL
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur Sub SMA
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-219AB Autres noms ES1JL RVGTR
ES1JL RVGTR-ND
ES1JLRVGTR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A Capacité à Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz

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