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ES2J R5G

ES2J R5G
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Référence ES2J R5G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 178666 pcs
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Référence ES2J R5G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 178666 pcs Fiche technique ES2A - ES2J
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 2A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur DO-214AA (SMB)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte DO-214AA, SMB Autres noms ES2J R5GCT
ES2J R5GCT-ND
ES2JR5GCT
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 2A Capacité à Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz

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