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ES3DB R5G

ES3DB R5G
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Référence ES3DB R5G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 164755 pcs
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Référence ES3DB R5G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 164755 pcs Fiche technique ES3AB - ES3JB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur DO-214AA (SMB)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte DO-214AA, SMB Autres noms ES3DB R5GCT
ES3DB R5GCT-ND
ES3DBR5GCT
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A Capacité à Vr, F 46pF @ 4V, 1MHz

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