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ES3FB R5G

ES3FB R5G
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Référence ES3FB R5G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 146565 pcs
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Référence ES3FB R5G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 146565 pcs Fiche technique ES3AB - ES3JB
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.13V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 300V Package composant fournisseur DO-214AA (SMB)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 35ns Emballage Original-Reel®
Package / Boîte DO-214AA, SMB Autres noms ES3FB R5GDKR
ES3FB R5GDKR-ND
ES3FBR5GDKR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 300V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 300V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A Capacité à Vr, F 41pF @ 4V, 1MHz

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