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ESH1D R3G

ESH1D R3G
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Référence ESH1D R3G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 778141 pcs
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Référence ESH1D R3G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 778141 pcs Fiche technique ESH1B - ESH1D
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 900mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur DO-214AC (SMA)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 15ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AC, SMA Autres noms ESH1D R3G-ND
ESH1DR3G
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) Courant - fuite, inverse à Vr 1µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A Capacité à Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz

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