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HER603G R0G

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Référence HER603G R0G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 6A R-6
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 207128 pcs
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Référence HER603G R0G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 6A R-6 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 207128 pcs Fiche technique HER601G - HER606G
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1V @ 6A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur R-6
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 50ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte R6, Axial Autres noms HER603G R0G-ND
HER603GR0G
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 200V 6A Through Hole R-6 Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A Capacité à Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz

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