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HS1DL R3G

HS1DL R3G
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Référence HS1DL R3G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 967133 pcs
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Référence HS1DL R3G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 967133 pcs Fiche technique HS1AL - HS1ML
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 950mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V Package composant fournisseur Sub SMA
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 50ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-219AB Autres noms HS1DL R3G-ND
HS1DLR3G
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 21 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A Capacité à Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz

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