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HS1JLW RVG

HS1JLW RVG
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Référence HS1JLW RVG
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1314351 pcs
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Référence HS1JLW RVG Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1314351 pcs Fiche technique HS1DLW - HS1MLW
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur SOD123W
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 75ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOD-123W Autres noms HS1JLW RVGTR
HS1JLW RVGTR-ND
HS1JLWRVGTR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 175°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 600V 1A Surface Mount SOD123W Courant - fuite, inverse à Vr 1µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A Capacité à Vr, F 16pF @ 4V, 1MHz

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