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HS3K R7G

HS3K R7G
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Référence HS3K R7G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 203210 pcs
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Référence HS3K R7G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 203210 pcs Fiche technique HS3A - HS3M
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7V @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 800V Package composant fournisseur DO-214AB (SMC)
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 75ns Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte DO-214AB, SMC Autres noms HS3K R7GCT
HS3K R7GCT-ND
HS3KR7GCT
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 800V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 800V Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A
Capacité à Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz

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