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RS1GL R3G

RS1GL R3G
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Référence RS1GL R3G
Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1470728 pcs
Référence Prix
(En dollars américains)		1800 pcs3600 pcs5400 pcs
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Référence RS1GL R3G Fabricant TSC (Taiwan Semiconductor)
La description DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1470728 pcs Fiche technique RS1AL - RS1MLRS1A - RS1M
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3V @ 800mA
Tension - inverse (Vr) (max) 400V Package composant fournisseur Sub SMA
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 150ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-219AB Autres noms RS1GL R3GTR
RS1GL R3GTR-ND
RS1GLR3GTR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 25 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 400V 800mA Surface Mount Sub SMA Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 400V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 800mA Capacité à Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz

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